结构基础

存储设备

FLASH

传统的ROM基本被淘汰，一旦写入出错芯片就废了，被FLASH闪存替代

FALSH可以修改，分为NAND和NOR

NAND FLASH:

存储单元按“NAND 逻辑门”串联，结构简单（1 个晶体管/单元），相同芯片面积可集成更多存储单元 → 容量大、成本低（如 1TB NAND 芯片很常见）。

NOR FLASH：

**存储单元按“NOR 逻辑门”并联，结构复杂（2-3 个晶体管/单元） → 容量小、成本高（通常最大几百 MB）。