结构基础
存储设备
FLASH
传统的ROM基本被淘汰，一旦写入出错芯片就废了，被FLASH闪存替代
FALSH可以修改，分为NAND和NOR
NAND FLASH:
存储单元按“NAND 逻辑门”串联，结构简单（1 个晶体管/单元），相同芯片面积可集成更多存储单元 → 容量大、成本低（如 1TB NAND 芯片很常见）。
NOR FLASH：
**存储单元按“NOR 逻辑门”并联，结构复杂（2-3 个晶体管/单元） → 容量小、成本高（通常最大几百 MB）。
SRAM,SDARM
ARM这里SRAM和X86的里CPU的cache类似，集成在CPU内部
| 对比项 | SRAM | SDRAM |
|---|---|---|
| 存储单元 | 6 晶体管（触发器） | 1 晶体管 + 1 电容 |
| 刷新需求 | 无需刷新 | 需定期刷新（防数据丢失） |
| 速度 | 极快（ns 级，与 CPU 同步） | 较快（10~50ns，与时钟同步） |
| 容量 | 小（KB~MB 级，内置） | 大（MB~GB 级，外置） |
| 成本 | 高（芯片面积大） | 低（适合大容量） |
| 典型位置 | MCU 内部（内部 RAM） | 外部扩展（独立芯片） |
SDRAM（synchrous dynamic）是同步的，CPU还要检测时钟线，还要定时刷新，功耗大，面积很大（看下图）改进·为DDRx
SRAM(static)CPU直接访问，无需其他
地址
嵌入式中，CPU会为所有存储型设备创建统一的地址空间
CPU：STM32F429IGT6，LQFP176，FLASH：1024KB，SRAM：256KB
◆ 外扩 SDRAM：W9825G6KH，32M 字节
◆ 外扩 NAND FLASH：MT29F4G08，512M 字节
◆ 外扩 SPI FLASH：W25Q256，32M 字节
◆ 外扩 EEPROM：24C02，256 字节
编译时会给程序划分字段
程序会被下载到内部FLASH中，运行时再根据需要从FLASH中加载到SDRAM/SRAM(const等只读的不会被频繁访问的片段会被保存在FLASH，其他变量需要频繁访问会被加载到SDRAM/SRAM)
运行时会加载汇编文件初始化各种环境（c语言，中断，堆栈……)，在跳转到main.c
外扩的存储设备不和CPU总线相连，不参与地址分配，有独立的地址，用协议访问
外设
外设：内部总线AHB(advanced high bus)不能直接访问的设备
外设分为片上外设和片内外设
片上外设：AHB不能直接访问，APB（advanced peripheral bus）可以访问（PWM,定时器，看门狗）
片外外设：AHB,APB(总线)都不能直接访问，通过片上外设GPIO,I2C,串口来通信
比如外接屏幕（iic协议，SPI），蓝牙模块（串口协议），循迹模块（GPIO)等
